买卖IC网 >> 产品目录 >> SiHP24N65E-GE3 MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

SiHP24N65E-GE3

库存数量:可订货
制造商:Vishay/Siliconix
描述:MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 650 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 24 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 145 mOhms at 10 V
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-220AB-3
封装 Reel
相关资料
供应商
  • SiHP24N65E-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    560 5.092 2851.52
    1,000 4.526 4526
    2,000 4.388 8776